▲英特爾於2019年4月推出Intel® Optane™ 記憶體H10搭配固態硬碟儲存裝置，結合了Intel® Optane™ 技術的反應能力，同時透過M.2外型規格提供Intel®四階儲存單元(Quad Level Cell，QLC)3D NAND技術的儲存能力。（圖／英特爾提供）


【亞太新聞中心／財經新聞中心／竹科報導】

英特爾今日在南韓首爾舉行的全球意見領袖聚會上，介紹了一系列最新科技里程碑，並強調英特爾在以資料為中心的運算時代中，將持續推動記憶體和儲存發展的投資與承諾，包括提供客戶獨特的Intel® Optane™ 技術和Intel® 3D NAND解決方案，以便開發雲端、AI和網路邊緣裝置。

英特爾的記憶體和儲存解決方案正在協助包括微軟等眾多客戶，目前微軟正在對其客戶端作業系統進行重大更新，以支援Intel® Optane™ 持續性記憶體所提供像是快速啟動和遊戲讀取等眾多新功能與特色。英特爾同時也為重要企業客戶展示新一代Intel® Optane™ 技術單連結埠固態硬碟，相關產品預計將於2020年上市。

英特爾資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理Rob Crooke表示：「這世界產生資料的速度越來越快，而企業對於如何有效地處理這些資料也顯得越來越無所適從。在眾多企業中，能勝出的主要區別就在於誰能夠從這些資料中獲取價值。這些任務將需要在記憶體和儲存層級結構進行先進創新，而這正是英特爾目前所推動的工作。」


▲英特爾資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理Rob Crooke在今日於南韓首爾舉行的Intel Memory and Storage Day分享英特爾在記憶體與儲存領域的最新願景與策略。（圖／英特爾提供）

英特爾在這次活動中提到以下最新科技里程碑，包括將在位於美國新墨西哥州Rio Rancho的工廠拓展全新Intel® Optane™ 技術研發生產線的計畫，以及宣布代號為「Barlow Pass」的第2代Intel® Optane™ DC持續性記憶體(Persistent Memory)搭載新一代Intel® Xeon®可擴充處理器，預計將於2020年推出。同時，英特爾專為用於資料中心的SSD推出領先業界的144層四階儲存單元(Quad Level Cell，QLC) NAND快閃記憶體，也預計將在2020年推出。

機器所產生的大量資料通常需透過即時分析後，才能賦予資料價值。此項需求突顯了記憶體儲存層級結構所產生的缺口，即DRAM容量不足、SSD則不夠快。而這些缺口可透過Intel® Optane™ DC持續性記憶體來填補，就連更大量的資料集(data set)也可透過儲存介面連接的Intel® Optane™ 技術來填補缺口。

此外，硬碟速度越來越不能滿足以資料為中心的運算環境，因此Intel® Optane™ 技術與QLC NAND的組合可改善此狀況。整體而言，Intel® Optane™ 是材質、架構、與效能兼具的特殊組合，是現有的記憶體與儲存技術無法相比的。